一、案例背景
2026年8月，一则来自韩国半导体巨头SK海力士的消息引发全球存储芯片行业高度关注：该公司正式重启位于中国大连的NAND闪存生产基地2号工厂建设，计划将产能扩大约50%。这一决策发生在全球存储芯片市场经历剧烈波动、地缘政治博弈持续深化的关键时期，其战略意涵远超单纯的产能扩张。
SK海力士与大连基地
SK海力士是全球第二大存储芯片制造商，总部位于韩国利川市，在DRAM（动态随机存取存储器）和NAND闪存领域均占据全球领先地位。公司前身为1983年成立的现代电子产业株式会社，历经多次重组与并购，于2012年更名为SK海力士。2025年，SK海力士全球营收达到约66.2万亿韩元（约合480亿美元），在全球存储芯片市场占有率约为25%，仅次于三星电子。
大连生产基地是SK海力士在中国最重要的制造布局。2020年，SK海力士宣布收购英特尔NAND闪存及存储业务，包括位于大连的Fab 68工厂。这笔交易总金额达90亿美元，分两阶段完成：第一阶段为存储业务收购（含大连工厂），于2021年底完成；第二阶段涉及NAND闪存技术研发团队及专利，于2025年3月完成。收购完成后，SK海力士对大连工厂进行了大规模升级改造，将其打造为集团在中国唯一的NAND闪存生产基地。
大连2号工厂是SK海力士在大连的第二座晶圆厂，于2022年动工建设，规划月产能约10万片12英寸晶圆。然而，受2022年下半年起全球存储芯片市场进入下行周期、行业库存高企、价格暴跌等因素影响，该工厂建设自2023年起长期处于停滞状态。SK海力士在2023-2025年期间多次推迟设备引入计划，直至2026年8月正式宣布重启。
全球存储芯片行业格局变化
2023年至2025年，全球存储芯片行业经历了剧烈的周期波动。2023年，受消费电子需求疲软、数据中心建设放缓等因素影响，NAND闪存价格暴跌超过50%，行业整体亏损严重。SK海力士、三星电子、美光科技等主要厂商纷纷减产以稳定价格。
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