一、案例背景
（一）半导体产业的技术竞赛与摩尔定律的黄昏
半导体产业作为现代信息经济的基石，其发展轨迹始终遵循着摩尔定律的节奏——集成电路上可容纳的晶体管数目约每隔两年便会增加一倍。然而，当制程节点推进至3nm乃至2nm以下时，物理极限的壁垒开始显现。传统的深紫外光刻（DUV）技术已难以满足更精细的图案化需求，极紫外光刻（EUV）技术自2019年进入量产阶段后，为7nm及以下节点的制造提供了可能。但EUV技术本身也在逼近其光学分辨率的物理极限——数值孔径（NA）为0.33的现有EUV系统，在支持2nm以下节点的关键层图案化时已显得力不从心。
正是在这一技术拐点上，High NA EUV（高数值孔径极紫外光刻）技术浮出水面。ASML——全球唯一能够提供EUV光刻系统的荷兰企业——将High NA EUV的数值孔径提升至0.55，分辨率从现有EUV的13nm提升至8nm，为1nm级及以下节点的制造打开了技术窗口。然而，High NA EUV的商用化并非坦途，其面临的光源功率、光学系统复杂度、光刻胶材料、掩膜版制造等一系列挑战，至今仍是整个行业共同面对的技术难题。
（二）三星电子的晶圆代工战略与市场地位
三星电子（Samsung Electronics）成立于1969年，总部位于韩国水原，是三星集团旗下最大的子公司，业务涵盖消费电子、信息技术移动通信、半导体及显示面板等多个领域。在半导体业务板块中，三星电子是全球极少数同时具备存储芯片（Memory）和晶圆代工（Foundry）两大业务能力的综合性半导体企业。
在晶圆代工领域，全球市场呈现出明显的“双雄争霸”格局。台积电（TSMC）以超过60%的市场份额稳居首位，其技术节点推进节奏和良率控制能力长期处于行业领先地位。三星电子以约11%的市场份额位居第二，在先进制程领域与台积电展开激烈竞争。2022年6月，三星电子率先实现3nm GAA（全环绕栅极）工艺的量产，在技术路线上领先于台积电的FinFET方案，一度被视为三星在代工领域实现弯道超车的关键节点。
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