一、案例背景
（一）行业背景：内存墙困境下的芯片产业变局
全球数字经济正进入以算力为核心驱动力的新阶段。从大模型训练到云游戏渲染，从加密计算到边缘推理，算力需求的指数级增长对底层硬件架构提出了前所未有的挑战。然而，半导体产业在传统冯·诺依曼架构下运行了数十年，正遭遇一道难以逾越的物理与性能壁垒——”内存墙”（Memory Wall）。
所谓”内存墙”，是指处理器（计算单元）与存储器（存储单元）之间的数据传输带宽和延迟，成为系统整体性能提升的瓶颈。在冯·诺依曼架构中，计算与存储分离，数据需要在二者之间不断搬运。随着AI算力需求的爆发，数据搬运的速度已远远跟不上计算单元的处理速度，导致大量算力闲置在等待数据的路上。据行业研究机构估算，在高性能计算场景中，数据搬运所消耗的能量和延迟，往往占据系统总开销的60%以上。
传统的二维芯片制造技术正在逼近物理极限。摩尔定律的放缓、光刻成本的指数级攀升，使得单纯依靠制程微缩来提升性能的路径越来越窄。在此背景下，三维集成技术（3D Integration）被业界视为突破瓶颈的关键方向之一。通过将多层芯片在垂直方向上进行堆叠，并以硅通孔（TSV）等技术实现层间高速互联，三维集成可以在单位面积内实现更高的存储容量、更宽的带宽和更低的功耗，为计算与存储的深度融合提供了物理基础。
正是在这一技术范式转换的历史节点上，一批具备前瞻视野和自主研发能力的创新企业开始崭露头角。谦合益邦——这家由网易孵化的3D存算一体芯片企业——正是其中的代表性力量。
（二）企业概况：从2018年的一个”疯狂想法”到2026年的B轮20亿
谦合益邦成立于2024年1月，但它的故事远比公司注册日期更早。公司核心团队早在2018年便率先启动了全球第一款基于3D DRAM存算一体架构芯片的探索研发及量产。换言之，在”存算一体”还只是一个学术界热议的概念时，谦合益邦的创始团队已经开始了工程化的探索。
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