一、案例背景
1.1 企业简介
三星电子（Samsung Electronics）是全球最大的半导体制造企业之一，总部位于韩国水原。公司在存储芯片领域长期占据全球领先地位，产品线覆盖DRAM、NAND闪存以及高带宽内存（HBM）等。在晶圆代工领域，三星电子也是全球少数具备先进制程能力的厂商之一，与台积电（TSMC）形成直接竞争关系。三星电子采用IDM（Integrated Device Manufacturer，垂直整合制造）模式，即同时具备芯片设计、制造和封装测试能力，这一模式使其在存储芯片领域拥有独特的内部协同优势。
1.2 行业概况：HBM市场的战略重要性
高带宽内存（High Bandwidth Memory，HBM）是面向人工智能（AI）和高性能计算（HPC）应用的关键存储技术。随着生成式AI的爆发式增长，以英伟达（NVIDIA）GPU为代表的AI加速器对HBM的需求急剧攀升。HBM通过将多层DRAM芯片垂直堆叠，并通过硅通孔（TSV）技术实现高密度互连，从而提供远超传统DRAM的内存带宽。
HBM市场目前呈现三星电子、SK海力士和美光科技三强竞争的格局。其中，SK海力士凭借与英伟达的深度合作，在HBM3和HBM3E世代占据了市场领先地位。三星电子则一直在努力追赶，试图在下一代HBM4中实现反超。
1.3 事件来龙去脉
据业内人士2026年9月消息，三星电子在定制化HBM时代的基础芯片（Base Die）供应战略将发生重大变化。具体而言：
第一，从DRAM工艺向代工工艺迁移。 从HBM4开始，三星电子和SK海力士已开始采用晶圆代工工艺而非传统的DRAM工艺来制造基础芯片。基础芯片是HBM堆叠结构底部的逻辑芯片，负责管理内存与GPU之间的数据传输。与DRAM工艺相比，代工工艺能够将更多功能集成到基础芯片中，从而提升性能和能效。
第二，推行“双轨制程”战略。 三星电子将不再完全依赖其内部代工产能进行自主生产，而是同时采用基于台积电工艺的基础芯片。这意味着三星电子将部分基础芯片的生产外包给其代工领域的直接竞争对手——台积电。
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