一、案例背景
（一）行业背景：算力洪流与”内存墙”困境
进入21世纪20年代中期，全球数字经济进入算力驱动的爆发期。云游戏、大语言模型、自动驾驶、智能推荐系统等高并发数据流处理场景对芯片的算力和访存带宽提出了指数级增长的需求。然而，传统芯片架构中，计算单元（逻辑芯片）与存储单元（DRAM）物理分离，二者通过总线进行数据交换。随着计算速度的飞速提升，存储器的访问速度远跟不上处理器的计算速度，二者之间的速度鸿沟被称为”内存墙”（Memory Wall）。这一瓶颈已成为制约整个计算产业性能提升的最大障碍之一。
传统解决方案包括增大片上缓存（SRAM）、采用高带宽存储器（HBM）等，但这些方案均面临成本高昂、功耗过大、技术复杂度高等问题。在此背景下，”存算一体”技术路线应运而生——将计算单元与存储单元在物理上融合或靠近，从根本上消除或缓解数据搬运带来的性能损耗和功耗浪费。
（二）企业简介：网易孵化的技术新锐
谦合益邦成立于2024年1月，是由网易孵化的国内最早专注于3D存算一体、三维集成原生芯片架构和云游戏应用加速的芯片公司。公司核心团队早在2018年便率先启动全球第一款基于3D DRAM存算一体架构芯片的探索研发及量产。彼时，”存算一体”尚停留在学术探讨阶段，团队已率先下场验证技术路线。六年的先行积累，多轮流片、多次试错与多代架构迭代的沉淀，形成了如今芯片行业最稀缺的技术壁垒。
公司近期完成超20亿元的B轮融资，网易有道与中国移动链长基金作为长期股东及合作伙伴，在业务层面与公司形成深度协同，为芯片规模化落地提供了坚实的需求入口与验证场景。
（三）事件概述：全球首款4层3D DRAM存算一体芯片问世
2026年8月，谦合益邦宣布其自主研发的全球首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片成功回片并点亮，标志着4层3D DRAM堆叠存算一体芯片从技术验证正式迈入工程落地阶段。
该芯片采用谦合益邦自研的全新三维集成原生计算架构与3D DRAM堆叠技术，在全球范围内首次实现4层芯片在垂直方向的高密度集成，将计算单元与存储单元在三维空间中深度融合，从根本上突破了传统平面架构下计算与存储分离带来的”内存墙”瓶颈。具体而言，该芯片采用”4+1″三维堆叠架构——以逻辑层为基底、4层DRAM堆叠其上，将垂直扩展能力和空间推向新的高度。
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