一、案例背景
1.1 全球DRAM市场格局与权力结构
动态随机存取存储器（DRAM）是全球半导体产业中集中度最高的细分领域之一。长期以来，该市场呈现”三足鼎立”的寡头格局：三星电子、SK海力士与美光科技三家合计占据全球DRAM市场超过95%的份额。这一高度集中的市场结构赋予了在位者强大的定价权与技术标准话语权，也构成了后发企业进入的结构性壁垒。
DRAM行业的核心竞争逻辑围绕”制程微缩”展开——在同样面积的硅片上集成更多存储单元，从而降低单位比特成本。自1990年代以来，行业遵循类似”摩尔定律”的演进节奏，制程节点从微米级逐步推进至纳米级。美光科技总裁兼首席技术与产品官Scott DeBoer在2026年10月21日的技术研讨会上透露，从1995年到2026年，美光已推出22个DRAM制程节点，这一数字本身就是行业技术积累深度的注脚。
然而，随着制程逼近物理极限，传统平面微缩路径正面临越来越严峻的挑战。电容尺寸的进一步缩小遭遇量子隧穿效应和漏电流问题的制约，DRAM单元结构日益接近原子极限。正是在这一技术范式转换的关口，架构创新成为打破僵局的关键变量。
1.2 长鑫存储的崛起与4F²架构的推出
长鑫存储（CXMT）是中国大陆最具代表性的DRAM制造企业，其成立本身就承载着中国在存储芯片领域实现自主可控的战略使命。经过多年的技术积累与产能爬坡，长鑫存储已逐步在DDR4、DDR5等主流产品上形成量产能力，并在全球DRAM市场中占据一席之地。
2026年10月，长鑫存储推出一项令海外业界高度关注的技术方案：4F² DRAM架构。所谓”F²”，是半导体制造中衡量单元面积的基本单位（F代表最小特征尺寸）。当前行业主流的6F²架构意味着每个存储单元占用6个F²的面积，而4F²架构理论上可将单元面积缩小三分之一，从而在同等晶圆面积上实现更高的存储密度。据长鑫存储披露，4F²架构单位面积晶体管数量可比6F²架构更多，且在一定程度上摆脱了现有工艺瓶颈的约束。
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